中国半导体再传好消息:存储芯片将月产30万片!有望超越美日韩

中国半导体领域近日再度传来好消息。据观察者网6月22日援引国内巨头紫光集团最新消息,总投资240亿美元的长江存储国家存储器基地,其二期(土建)项目目前已在武汉东湖高新区开工,规划每月生产20万片存储芯片产品,达产后与一期项目合计月产能将达30万片。这也意味着,中国将在存储芯片领域进一步降低对外依存度。

中国半导体再传好消息:存储芯片将月产30万片!有望超越美日韩

据悉,长江存储国家存储器基地项目分两期建设3D NAND闪存芯片工厂,其中,项目一期目前已实现32层、64层存储芯片产品的稳定量产。不只如此,在64层3D NAND闪存量产7个月后,长江存储今年4月还宣布新的研发进展——跳过96层,成功研制出业内已知型号产品中最高单位面积存储密度、最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量的128层闪存。

中国半导体再传好消息:存储芯片将月产30万片!有望超越美日韩

有机构就预计,此举将让中国与美日韩芯片巨头的技术差距缩小1到2年,实现弯道超车。另外,有业内人士还指出,基于长江存储一期项目的突破,届时其全球占率将达到5%左右。

实际上,长江存储的突破对我国相关行业也存在着巨大的利好。存储器是信息系统的基础核心芯片,也是中国进口金额最大的集成电路产品,但近些年,国际市场内存、固态硬盘、显卡价格不断上涨,原因在于存储芯片掌握在少数国外厂家手中。

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去年5月,有外媒就曾表示,长江存储进入64层闪存市场的脚步已经势不可挡,在其大规模生产之后,2020年全球64层3D NAND市场的竞争无疑将变得更加激烈,对于美日韩的芯片巨头来说,其价格预计也将变得“难看”。换句话说,存储芯片国产化将有利于降低国内半导体产品的成本、摆脱对外依赖,并进一步打破美日韩的垄断。